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一种笼型硅-晶体硅异质结叠层电池及其制备方法 

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申请/专利权人:四川恒立聚能光电科技有限公司

摘要:本发明涉及叠层电池技术领域,提供了一种笼型硅‑晶体硅异质结叠层电池及其制备方法,所述笼型硅‑晶体硅异质结叠层电池包含作为底电池单元的硅电池和作为顶电池单元的笼型硅电池,硅电池和笼型硅电池之间通过氧化镍层连接;硅电池从下至上依次制备的结构包含金属电极层、第一透明导电氧化物层、第一非晶层、基底、第二非晶层、第二透明导电氧化物层;氧化镍制备于所述第二透明导电氧化物层的顶面;笼型硅电池从下至上依次制备的结构包含笼型硅层和透明电极,笼型硅层制备于所述氧化镍层的顶面。使用该叠层电池,能解决现有的叠层电池结构多采用多种材料的组合,存在稳定性问题,还有迟滞现象,会影响叠层电池的整体性能问题。

主权项:1.一种笼型硅-晶体硅异质结叠层电池,其特征在于,包含:作为底电池单元的硅电池和作为顶电池单元的笼型硅电池,所述硅电池和所述笼型硅电池之间通过氧化镍层NiOx连接;所述硅电池从下至上依次制备的结构包含厚度为的0.1~30um的金属电极层、厚度为的80~200nm的第一透明导电氧化物层、厚度为的5~30nm的第一非晶层、厚度为的80~200um的基底、厚度为的5~30nm的第二非晶层和厚度为的10~20nm的第二透明导电氧化物层;所述氧化镍制备于所述第二透明导电氧化物层的顶面;所述笼型硅电池从下至上依次制备的结构包含厚度为500~1000nm的笼型硅层、厚度为80~200nm的透明电极和厚度为0.1~30um的金属电极,所述笼型硅层制备于所述氧化镍层的顶面;所述氧化镍层的厚度为20~30nm。

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