龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海季丰电子股份有限公司
摘要：本发明提供了一种具有3DNAND深孔结构的TEM样品的制备方法及TEM样品。所述制备方法包括以下步骤：在半导体3DNAND的表面定位具有深孔结构的目标区域并标记；将离子减薄树脂涂敷于目标区域的表面并固化，形成保护层；将具有保护层的目标区域进行裂片处理；将目标区域的裂片样品粘结于载具后，使所述目标区域的裂片样品中的深孔平行于所述载具；采用聚焦离子束对目标区域的裂片进行第一次减薄，得到粗样品；将粗样品转移至FIB载网的顶端，并固定；采用聚焦离子束对粗样品进行第二次减薄，得到TEM样品。本发明所述制备方法无窗帘效应、时效快、成功率高；且适合大面积重复性的结构，制备效率高。
主权项：1.一种具有3DNAND深孔结构的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在半导体3DNAND的表面定位具有深孔结构的目标区域，并标记；将离子减薄树脂涂敷于目标区域的表面，并固化，形成保护层；将具有保护层的目标区域进行裂片处理，得到目标区域的裂片样品；将目标区域的裂片样品的其中一面粘结于载具后，且使所述目标区域的裂片样品中的深孔平行于所述载具；采用聚焦离子束对目标区域的裂片进行第一次减薄，得到粗样品；将粗样品转移至FIB载网的顶端，并固定；采用聚焦离子束对粗样品进行第二次减薄，得到所述具有3DNAND深孔结构的TEM样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海季丰电子股份有限公司 一种具有3D NAND深孔结构的TEM样品的制备方法及TEM样品
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号