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半导体集成电路及接收装置 

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申请/专利权人:铠侠股份有限公司

摘要:本发明提供一种能够使电感器的占有面积变小的半导体集成电路及接收装置。半导体集成电路具备:衬底,包含第1配线层及与第1配线层在积层方向上分离配置的第2配线层;以及等化电路,形成在衬底,将包含第1信号及第2信号的差动输入信号中所包含的一部分的频段的信号电平放大,且输出包含第3信号及第4信号的差动输出信号;等化电路具有第1晶体管、第1电感器元件、第2晶体管、及第2电感器元件,第1电感器元件及第2电感器元件分别具有第1电感器部分、第2电感器部分、及第3电感器部分,第1电感器部分及第2电感器部分包含单层卷绕线圈,第3电感器部分的第3端部与第1电感器部分的第1端部电连接,第3电感器部分的第4端部与第2电感器部分的第2端部电连接。

主权项:1.一种半导体集成电路,具备:衬底,包含第1配线层及与所述第1配线层在积层方向上分离配置的第2配线层;等化电路,形成在所述衬底,将包含逻辑相互相反的第1信号及第2信号的差动输入信号中所包含的一部分的频段的信号电平放大,输出包含第3信号及第4信号的差动输出信号;第1节点,被输入所述第1信号;第2节点,被输入所述第2信号;第3节点,输出所述第3信号;以及第4节点,输出所述第4信号;所述等化电路具有:第1晶体管,具有连接于所述第1节点的栅极及连接于所述第3节点的漏极;第1电感器元件及第1电阻元件,串联连接于所述第1晶体管的漏极与第1基准电压节点之间;第2晶体管,具有连接于所述第2节点的栅极及连接于所述第4节点的漏极;以及第2电感器元件及第2电阻元件,串联连接于所述第2晶体管的漏极与所述第1基准电压节点之间;所述第1电感器元件及所述第2电感器元件分别为具有第1电感器部分、第2电感器部分及第3电感器部分的合成电感器元件的一部分,所述第1电感器部分设置在所述第1配线层的第1区域,具有第1端部,包含单层卷绕线圈,所述第2电感器部分设置在与所述第1区域不同的所述第1配线层的第2区域,具有第2端部,包含单层卷绕线圈,所述第3电感器部分设置在所述第2配线层,具有第3端部及第4端部,所述第3电感器部分的所述第3端部与所述第1电感器部分的所述第1端部电连接,所述第3电感器部分的所述第4端部与所述第2电感器部分的所述第2端部电连接。

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