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申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
摘要：本发明公开了一种超洁净石墨烯单晶晶圆的制备方法，通过将两片铜晶圆面对面堆叠放置，构筑限域反应体系，结合CVD体系的温度与压强控制，抑制石墨烯生长过程中气相反应的发生与无定形碳产物的形成，从而实现超洁净石墨烯晶圆的可控制备。同时，本发明操作简单，与目前石墨烯晶圆的CVD生长工艺相兼容，可通过多片批次生长的方式实现超洁净石墨烯单晶晶圆的批量制备，可以为石墨烯单晶晶圆材料的品质提升与高端器件应用提供技术与材料支撑。
主权项：1.一种超洁净石墨烯单晶晶圆的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、提供两个相同的铜蓝宝石晶圆；S2、将所述两个相同的铜蓝宝石晶圆按照镀铜面面对面堆垛放置，置于化学气相沉积CVD系统中；S3、将面对面堆垛放置的铜晶圆进行退火；S4、向所述CVD体系统中通入碳源前驱体，进行石墨烯单晶晶圆的生长；S5、石墨烯单晶晶圆生长后在原有气氛条件下降温至室温，取样后即可得到所述超洁净石墨烯单晶晶圆。
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百度查询： 北京石墨烯研究院 北京大学 一种超洁净石墨烯单晶晶圆的制备方法
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