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申请/专利权人：广州奥松电子股份有限公司;北京理工大学;北京航空航天大学

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造制造技术领域，具体涉及一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆，晶圆包括衬底和复合金属层，复合金属层覆盖在衬底的预设面，复合金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖在第二金属层的表面，通过本发明提供的湿法刻蚀方法工艺，通过对不同金属层设置不同掩膜版及控制掩膜版透明区域的宽度，有效解决了采用传统工艺对复合金属膜进行湿法刻蚀时，处于底层金属尺寸失真的问题，提高了复合金属薄膜湿法刻蚀底层尺寸精度，也提升了晶圆生产的良品率和可靠性。

主权项：1.一种晶圆湿法刻蚀方法，所述晶圆包括衬底和复合金属层，所述复合金属层覆盖在所述衬底的预设面，所述复合金属层由上到下依次包括第一金属层、第二金属层、…、第N金属层，其中N≥2，其中第一金属层覆盖在第二金属层的表面，第二金属层覆盖在第三金属层的表面，……，第N-1金属层覆盖在第N金属层的表面，其特征在于，所述湿法刻蚀方法，包括以下步骤：S1.在所述第一金属层表面涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；S2.对所述第一光刻胶层进行光刻形成第一掩膜；S3.对所述第一金属层进行刻蚀；S4.去除所述第一掩膜；S5.在所述第一金属层表面及刻蚀后露出的第二金属层表面涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，并确保所述第二光刻胶层的表面平整；S6.对所述第二光刻胶层进行光刻形成第二掩膜，其中所述第一光刻胶层对应的掩膜版具有第一透明区，宽度为d1，所述第二光刻胶层对应的掩膜版具有第二透明区，宽度为d2，其中d1≥d2；S7.对所述第二金属层进行刻蚀；S8.去除所述第二掩膜；……；在所述第一金属层表面及刻蚀后依次露出的第二金属层表面、…、和或露出的第N金属层表面涂覆光刻胶形成第N光刻胶层，并确保所述第N光刻胶层的表面平整，所述第N光刻胶层对应的掩膜版具有第N透明区，宽度为dn，其中d1≥d2…≥dn；对所述第N光刻胶层进行光刻形成第N掩膜；对所述第N金属层进行刻蚀；去除所述第N掩膜。

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