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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开提供了一种存储器及其制作方法、存储系统和电子设备，所述存储器包括：堆叠结构，所述堆叠结构在第二方向包括阵列区、连接区和过渡区，所述过渡区位于所述阵列区和连接区之间，所述第二方向与所述第一方向垂直；多个栅线缝隙结构，所述栅线缝隙结构沿第一方向贯穿所述堆叠结构；所述栅线缝隙结构包括第一栅线缝隙结构和第二栅线缝隙结构；所述第一缝隙结在第二方向从阵列区延伸至连接区，所述第二栅线缝隙结构在第二方向从阵列区延伸至过渡区；多个沟槽结构，所述沟槽结构沿第一方向贯穿所述堆叠结构，在第二方向延伸且位于所述过渡区内，在第三方向位于两个所述栅线缝隙结构之间，所述第三方向垂直于第一方向和第二方向。
主权项：1.一种存储器，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和第一导体层，所述堆叠结构在第二方向包括阵列区、连接区和过渡区，所述过渡区位于所述阵列区和连接区之间，所述第二方向与所述第一方向垂直；多个栅线缝隙结构，所述栅线缝隙结构沿第一方向贯穿所述堆叠结构；所述栅线缝隙结构包括第一栅线缝隙结构和第二栅线缝隙结构；所述第一缝隙结在第二方向从阵列区延伸至连接区，所述第二栅线缝隙结构在第二方向从阵列区延伸至过渡区；多个沟槽结构，所述沟槽结构沿第一方向贯穿所述堆叠结构，在第二方向延伸且位于所述过渡区内，在第三方向位于两个所述栅线缝隙结构之间，所述第三方向垂直于第一方向和第二方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器及其制作方法、存储系统和电子设备
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