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申请/专利权人：阿托梅拉公司
摘要：半导体器件可以包括基板和在基板上并且包括超晶格的倒T形沟道。超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括在倒T形沟道的相对端上的源极区域和漏极区域，以及在源极区域和漏极区域之间覆盖倒T形沟道的栅极。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在包括下部半导体层（22）、掩埋氧化物层（23）和所述掩埋氧化物层上的上部半导体层（24）的绝缘体上半导体基板上通过以下步骤形成倒T形沟道：减薄所述上部半导体层，和在减薄的上部半导体层上形成超晶格，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；在所述倒T形沟道的相对端上形成源极区域和漏极区域；以及在源极区域和漏极区域之间形成覆盖所述倒T形沟道的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 阿托梅拉公司 用于制造包括超晶格的倒T形沟道场效应晶体管(ITFET)的器件和方法
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