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申请/专利权人：长电集成电路(绍兴)有限公司
摘要：本申请公开了一种封装结构及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。降低划片裂纹的产生及蔓延，提高良品率。
主权项：1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长电集成电路(绍兴)有限公司 封装结构及其制备方法
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