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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种基于轨迹数据预存的微放电敏感区域绘制方法及系统，采用微放电稳态统计理论建模，通过优化后的数值建模避免电子轨迹的重复计算，并对电子轨迹数据预存。后读取预存数据，根据材料的SEY参数模型快速求解对应有效二次电子倍增率，大幅度减少了微放电敏感区域的耗时问题。与现有技术相比，为工程中对比不同材料的微放电敏感区域或评估材料SEY抑制工艺对微放电敏感区域的影响提供了极大便利。
主权项：1.一种基于轨迹数据预存的微放电敏感区域绘制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对敏感区域进行网格剖分与索引，构建敏感区域参数矩阵S及其数据索引方式；S2、遍历步骤S1构建的敏感区域参数矩阵S中各元素，确定不同出射相位下的概率权重、归属序号与碰撞动能数据，根据步骤S1确定的数据索引方式进行存储；S3、读取步骤S2存储的数据并结合SEY模型计算对应于碰撞动能的瞬时SEY值；S4、基于步骤S3得到的瞬时SEY值计算K函数分布，确定用于求解有效二次电子倍增率的联立方程组；S5、基于步骤S4得到的联立方程组，使用联立迭代求解法计算参数矩阵S中各元素对应的微放电有效二次电子倍增率σeff，以微放电有效二次电子倍增率σeff为色度绘制微放电敏感区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种基于轨迹数据预存的微放电敏感区域绘制方法及系统
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