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申请/专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
摘要：公开了一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一区域形成第一掺杂区；在所述半导体衬底的第一区域形成多孔层，所述多孔层位于所述第一掺杂区下方；对所述多孔层进行氧化形成第一氧化层以及包裹所述第一氧化层的第二氧化层；在所述第一掺杂区和所述半导体衬底的第一表面上形成外延层；在所述外延层上形成钝化层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述第二氧化层的通道；以及经由所述通道去除所述第一氧化层以及所述第二氧化层，以在所述半导体衬底中形成空腔。本发明采用采用多孔层氧化形成的第一氧化层以及包裹第一氧化层的第二氧化层作为刻蚀停止层，用于形成与外部环境连通的通道，从而形成空腔。
主权项：1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底的第一区域形成第一掺杂区；在所述半导体衬底的第一区域形成多孔层，所述多孔层位于所述第一掺杂区下方；对所述多孔层进行氧化形成第一氧化层以及包裹所述第一氧化层的第二氧化层；在所述第一掺杂区和所述半导体衬底的第一表面上形成外延层；在所述外延层上形成钝化层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述第二氧化层的通道；以及经由所述通道去除所述第一氧化层以及所述第二氧化层，以在所述半导体衬底中形成空腔；其中，所述外延层中没有到达所述空腔的开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州士兰集成电路有限公司 杭州士兰集昕微电子有限公司 一种MEMS器件及其制造方法
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