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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体性能测试方法和测试装置，通过获取待测样品，在待测样品中确定目标晶体管，确定目标晶体管的源漏极、栅极连接的接触层为需要进行测试的目标接触层；确定与目标晶体管连接的测试晶体管，目标晶体管与测试晶体管具有连接关系；在测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通测试晶体管，并对与测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探测结果，该金属层探测结果用于确定目标接触层的性能。通过本申请的半导体性能测试方法对半导体不可接触或不易接触的层进行检测，操作简单，易于实现，在缩短测试时间的基础上仍能实现较高的测试效率和测试准确度。
主权项：1.一种半导体性能测试方法，其特征在于，包括：获取待测样品，在所述待测样品中确定目标晶体管，确定所述目标晶体管的源漏极、栅极连接的接触层为需要进行测试的目标接触层；确定与所述目标晶体管连接的测试晶体管，所述目标晶体管与所述测试晶体管具有连接关系；在所述测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通所述测试晶体管，并对所述测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探测结果，所述金属层探测结果用于确定所述目标接触层的性能；所述测试晶体管的数量为多个，相邻两个测试晶体管共用源漏极；所述在所述测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通所述测试晶体管，并对与所述测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探测结果，包括：在各所述测试晶体管的栅极均施加偏置电压以导通各所述测试晶体管，并对与多个测试晶体管中的末端测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到所述金属层探测结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体性能测试方法和测试装置
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