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申请/专利权人:深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要:本申请属于半导体技术领域,公开了一种GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法。所述GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法包括:提供GaNHEMT衬底,在所述GaNHEMT衬底上依次生长第一介质层、第二介质层和第三介质层;在所述第三介质层上预留刻蚀区域,并在所述刻蚀区域之外的第三介质层上生长光刻胶层;依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层形成栅槽;蒸发栅金属以将所述栅金属沉积到所述栅槽,得到自对准的栅结构。本申请的GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法,制备过程只需要进行一次光刻工艺,因此制备过程不会存在套刻误差,即套刻误差为零,解决了套刻误差影响GaN器件性能的问题。
主权项:1.一种GaNHEMT器件的自对准栅结构制备方法,其特征在于,包括:提供GaNHEMT衬底,在所述GaNHEMT衬底上依次生长第一介质层、第二介质层和第三介质层;在所述第三介质层上预留刻蚀区域,并在所述刻蚀区域之外的第三介质层上生长光刻胶层;依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层和所述第一介质层形成栅槽;蒸发栅金属以将所述栅金属沉积到所述栅槽,得到自对准的栅结构。
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权利要求:
百度查询: 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种GaN HEMT器件的自对准栅结构制备方法
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