龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管，包括：半导体材料层，包括彼此相对的第一表面和第二表面；栅极沟槽，从半导体材料层的第一表面延伸至半导体材料层的内部，栅极沟槽包括侧壁和底壁；栅介质层，位于栅极沟槽内且包括覆盖栅极沟槽的侧壁的第一介质部和第二介质部；第一电场屏蔽结构，位于栅极沟槽外且邻接第一介质部；体区，位于栅极沟槽外且邻接第二介质部，体区中靠近栅极沟槽的部分用于形成沟道区；其中，第一介质部的厚度大于第二介质部的厚度；如此，通过增加与非沟道区邻接的栅介质层的厚度，实现了输入电容的降低，避免增加器件的开关损耗，并且不影响器件的导通性能。
主权项：1.一种沟槽栅晶体管，其特征在于，包括：半导体材料层，包括彼此相对的第一表面和第二表面；栅极沟槽，从所述半导体材料层的第一表面延伸至所述半导体材料层的内部，所述栅极沟槽包括侧壁和底壁；栅介质层，位于所述栅极沟槽内且包括覆盖所述栅极沟槽的侧壁的第一介质部和第二介质部；第一电场屏蔽结构，位于所述栅极沟槽外且邻接所述第一介质部；体区，位于所述栅极沟槽外且邻接所述第二介质部，所述体区中靠近所述栅极沟槽的部分用于形成沟道区；漂移区，位于所述沟道区的下方；第二电场屏蔽结构，位于所述第一电场屏蔽结构的下方，且至少部分延伸至所述沟道区的下方，以使得沿所述栅极沟槽的侧壁的延伸方向，所述漂移区的位于相邻两所述第二电场屏蔽结构之间的部分的宽度小于所述沟道区的宽度，所述延伸方向指所述侧壁在所述半导体材料层的第一表面所在的平面上的延伸方向；其中，所述第一介质部的厚度大于所述第二介质部的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 一种沟槽栅晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号