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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及功率MOS场效应晶体管技术领域，且公开了沟槽栅功率半导体场效应晶体管，包括漏极和源极，漏极的上表面横向设置有P+集电区，P+集电区的上表面外延有N+衬底，N+衬底的上表面生长有N‑漂移区，N‑漂移区的上表面掺杂有P阱，P阱的上方刻蚀有沟槽，沟槽贯穿P阱并伸入N‑漂移区的内部下方，沟槽内的底部淀积有多晶硅电极；本发明中沟槽的内部横向长度从上到下逐渐减小，对传统沟槽形状进行改进，并在沟槽中设置多晶硅电极，能够实现屏蔽栅极和N‑漂移区的作用，这样，能够减小米勒电容和栅电荷，可以提高开关速度，降低开关损耗。
主权项：1.沟槽栅功率半导体场效应晶体管，包括漏极1和源极11，其特征在于：所述漏极1的上表面横向设置有P+集电区3，所述P+集电区3的上表面外延有N+衬底6，所述N+衬底6的上表面生长有N-漂移区7，所述N-漂移区7的上表面通过离子注入形成有P阱16，所述P阱16的内部横向等距设有沟槽8，所述沟槽8的下方贯穿所述P阱16并伸入所述N-漂移区7的内部下方，每个所述沟槽8的内部下方淀积有多晶硅电极2，所述沟槽8的内部靠近所述多晶硅电极2的上方淀积有第二金属栅5，所述第二金属栅5的内部淀积有一个隔离层4，所述隔离层4将所述第二金属栅5分隔为左右两部分，且所述第二金属栅5和所述沟槽8之间形成沟道14，所述沟道14内具有氧化层，所述P阱16的上方靠近所述沟槽8的两侧通过离子注入形成有N+区13，所述P阱16的内部且接触两个所述N+区13的下方通过离子注入形成有P+区12，所述P+区12与所述N+区13接触面形成PN结，所述第二金属栅5上方还淀积有一体的第一金属栅9，所述第一金属栅9位于部分所述N+区13上方，所述P+区12以及部分所述N+区13的上方覆盖所述源极11，所述源极11将所述第一金属栅9包裹在其内部。
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百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 沟槽栅功率半导体场效应晶体管
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