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大马士革结构的制造方法及大马士革结构、芯片 

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申请/专利权人:北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学

摘要:本发明涉及半导体制造领域,提供一种大马士革结构的制造方法及大马士革结构、芯片。该方法包括:在半导体衬底上的金属导电层表面形成低K介电层;采用等离子体刻蚀法对低K介电层进行刻蚀,形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽;利用含有臭氧的清洗液进行清洗,含有臭氧的清洗液与低K介电层的材料发生反应生成一层氧化物,以修复刻蚀过程中等离子体轰击对低K介电层表面的损伤;在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理,同时加强修复低K介电层的损伤;在通孔或沟槽内形成阻挡层后填充导电金属。本发明能够修复低K介电层表面的损伤,改善阻挡层与低K介电层的黏附,增强金属电迁移性能和应力迁移性能。

主权项:1.一种大马士革结构的制造方法,其特征在于,包括:步骤一,在半导体衬底上的金属导电层表面形成低K介电层;步骤二,采用等离子体刻蚀法对低K介电层进行刻蚀,形成与金属导电层表面连通的通孔或沟槽;步骤三,利用含有臭氧的清洗液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行清洗,含有臭氧的清洗液与低K介电层的材料发生反应生成一层氧化物,以修复刻蚀过程中等离子体轰击对低K介电层表面的损伤;步骤四,在退火设备中对清洗后在通孔或沟槽内残余的臭氧进行还原处理,同时加强修复低K介电层的损伤;步骤五,利用氢氟酸溶液对具有通孔或沟槽的半导体衬底进行再次清洗,以去除还原处理后的副产物;步骤六,在所述通孔或沟槽内形成阻挡层后填充导电金属。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京智芯微电子科技有限公司 浙江大学 大马士革结构的制造方法及大马士革结构、芯片

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