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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及具有沉积栅极介电层的场效应晶体管，提供用于场效应晶体管的结构和形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括包含宽带隙半导体材料的半导体衬底、栅电极、设置在该半导体衬底上的第一栅极介电层、以及设置在该第一栅极介电层和该栅电极间的第二栅极介电层。
主权项：1.一种用于场效应晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：半导体衬底，包含宽带隙半导体材料；栅电极；第一栅极介电层，设置于该半导体衬底上；以及第二栅极介电层，设置在该第一栅极介电层与该栅电极间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有沉积栅极介电层的场效应晶体管
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