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一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法 

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申请/专利权人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司

摘要:本发明提供了一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法,包括:在碳化硅衬底外延生长形成第一漂移层;在第一漂移层上进行离子注入,形成均流层以及第二漂移层;在第二漂移层上部形成阻挡层,刻蚀,离子注入,形成阱区;之后形成N型源区及P型源区;重新形成阻挡层,刻蚀,淀积形成栅介质层;重新形成阻挡层,刻蚀,淀积金属,形成栅极金属层;之后形成源极金属层;重新形成阻挡层,将器件进行翻转,在碳化硅衬底重新形成阻挡区,刻蚀阻挡区形成通孔,并对碳化硅衬底进行刻蚀,淀积金属,形成金属填充结构层;去除阻挡区,在碳化硅衬底上淀积金属,形成漏极金属层,去除阻挡层,完成制备,实现高耐压,同时降低器件的导通电阻。

主权项:1.一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1、在碳化硅衬底外延生长形成第一漂移层;步骤2、在第一漂移层上进行离子注入,形成均流层以及第二漂移层;步骤3、在第二漂移层上部形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,对第二漂移层进行离子注入,形成阱区;步骤4、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,对阱区进行离子注入,形成N型源区;步骤5、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,对阱区进行离子注入,形成P型源区;步骤6、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,淀积形成栅介质层;步骤7、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,淀积金属,形成栅极金属层;步骤8、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,淀积金属,形成源极金属层;步骤9、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,将器件进行翻转,在碳化硅衬底重新形成阻挡区,刻蚀阻挡区形成通孔,并对碳化硅衬底进行刻蚀,淀积金属,形成金属填充结构层;步骤10、去除阻挡区,在碳化硅衬底上淀积金属,形成漏极金属层,去除阻挡层,完成制备。

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