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一种优异的ALD镀膜工艺 

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申请/专利权人:普乐新能源科技(泰兴)有限公司

摘要:本发明涉及一种优异的ALD镀膜工艺,使用TMA+H2O+O3作为生长源,在基片上生长氧化铝膜层,与现有技术中以TMA+O3或TMA+H2O为生长源生长氧化铝膜层相比,不仅保留了TMA+H2O生长速率快的特点;而且在生长过程中O3作为辅助源通入腔体,O3能够与薄膜中‑CH3发生反应,最终反应为H2O+CO2,并通过吹扫气体吹扫带出,从而可以有效降低膜层电阻率,改善钝化作用,进而提升电池的转换效率;同时本发明的工艺可以在同一腔室中反应实现,具有操作简单,成本低的优点。

主权项:1.一种优异的ALD镀膜工艺,其特征在于:该工艺以TMA+H2O+O3作为生长源,在基片上生长氧化铝膜层;采用该工艺在基片上生长氧化铝膜层的步骤为:1将生长基片送入沉积设备的腔体内,并控制腔体温度为170-250℃;2采用交替脉冲的方式以TMA+H2O为生长源在生长基片表面生长氧化铝;每一个循环中气体通入的顺序为TMA气体、吹扫气体、H2O蒸发气体、吹扫气体;3每一个循环结束后或若干个循环结束后,将辅助气体O3通入腔体内,最后再通入吹扫气体进行吹扫TMA;在生长过程中O3作为辅助源通入腔体,O3能够与薄膜中-CH3发生反应,最终反应为H2O+CO2,并通过吹扫气体吹扫带出;步骤2的每一个循环中TMA的流量为10-30sccm,脉冲时长为1-5s,吹扫时长为4-9s;步骤2的每一个循环中H2O的流量为10-30sccm,脉冲时长为3-10s,吹扫时长为6-12s;步骤3中O3流量为12sccm,脉冲时长为6s。

全文数据:

权利要求:

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