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申请/专利权人：财团法人交大思源基金会

摘要：本揭示内容是关于一种感测红外线的元件结构及感测红外线的方法。元件结构包括基板、第一金属电极、第二金属电极及半导体层。第一金属电极及第二金属电极位于基板上。半导体层位于基板上，其中半导体层位于第一金属电极及第二金属电极之间及上方，以及半导体层直接接触第一金属电极及第二金属电极。本揭示内容的元件结构可良好地感测红外线；光电流显著随着光的照度、强度或功率增加而增加；在微弱光源下亦可感测红外线；具良好光电转换效率；以及元件结构具多种态样以应用于多种不同的半导体工艺中。

主权项：1.一种感测红外线的元件结构，其特征在于，包括：一基板；一第一金属电极及一第二金属电极位于该基板上；以及一半导体层位于该基板上，其中该半导体层位于该第一金属电极及该第二金属电极之间及上方，该半导体层直接接触该第一金属电极及该第二金属电极，该第一金属电极及该第二金属电极分别独立包括铝、镍、钛、钼、铬、金、银、铜或其组合，以及该半导体层包括InSb、InAs、HgCdTe、PbS、PbSe、Ge、Si、GaSb、InGaAs、InTlAs、InAsSb、GaAsSb、InAsP、InGaAsP、GaInSb、AlGaAsSb、AlInSb、GaAsP、AlGaAs、AlAsSb、骈五苯、蒽、骈四苯、苝、四氢蒽、四氢-2,3-萘并二氢-1,4-二氮杂环、苯并二氮杂萘、聚3-己基噻吩、苯基-C61-丁酸甲酯、聚[[4,8-双[2-乙基己基氧基]苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-2,6-二基][3-氟-2-[2-乙基己基羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]、聚[2-甲氧基-5-2'-乙基己氧基-1,4-苯撑烯]、聚3,4-乙烯二氧基噻吩聚苯乙烯磺酸盐、聚[N-9'-庚十七烷基-2,7-咔唑-5,5-4',7'-二-2-噻吩基-2',1',3'-苯并噻二唑]、CuInSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuGaS2、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4、Bi2Te3、Sb2Te3、ZnO、ZnTe、CdTe、CdSe、CdS、SnS、SnSe、TiO2、CsPbBr3、CsPbI3、AgGaSe2、AgGaS2、二硫化钼二维材料、纳米碳管、碲化汞或其组合。

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