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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供了一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器，所述光混频器利用纳米空气沟道中电子的弹道输运特性获得高速响应和超大带宽，可用于产生毫米波太赫兹信号，光混频器包括衬底、光阴极、欧姆接触电极、波导、左阳极和右阳极，波导耦合方式为对接耦合或底层倏逝波耦合，该器件采用波导入射式结构，相较于传统面入射结构，量子效率和响应速度不再相互制约，在小型化和集成化方面有着独特优势，此外，该器件由双侧纳米空气沟道构成，可实现在不增加器件面积的情况下提升场光电子的有效发射边长，在保持高带宽的同时，提高饱和光电流。
主权项：1.一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器，其特征在于，所述光混频器包括衬底、光阴极、欧姆接触电极、波导、左阳极和右阳极；该混频器波导耦合方式为对接耦合或底层倏逝波耦合；当波导耦合方式为对接耦合时，所述衬底上不同位置有光阴极、波导、左阳极、右阳极，所述光阴极除与对接波导层耦合外，另一侧与欧姆接触电极对接，所述左、右阳极分布在欧姆接触电极的两侧，所述光阴极边缘与两侧阳极之间均有纳米空气沟道；当波导耦合方式为底层倏逝波耦合时，所述衬底上有不同高度的台面，高度较低的为第一台面，较高的为第二台面，第一台面有波导、左阳极、右阳极，第二台面有光阴极、欧姆接触电极，所述光阴极在波导上方，所述左右阳极在光阴极端面侧连接起来，光阴极与左右阳极之间以及光阴极与两阳极连接处之间都有纳米空气沟道。
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百度查询： 电子科技大学 一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器
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