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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明公开一种以高氧含量硅粉为原料制备低氧含量高α相氮化硅粉体的方法，原料配方包括高氧含量硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重、混匀后，通过燃烧合成法制备氮化硅粉体，所使用高氧含量硅粉原料的氧含量为2％‑8％，粒径范围1μm‑5μm，使用的氧含量调控剂为三聚氰胺，所得到产物氮化硅陶瓷粉体的氧含量控制在1％以下，α相含量在90％以上，本发明使用低成本、高氧含量光伏废硅粉作为原料，通过低成本、短周期的燃烧合成方法，制备低氧含量高α相氮化硅粉体，降低了低氧含量高α相氮化硅粉体的生产成本，具有重要的经济价值。
主权项：1.以高氧含量光伏废硅粉为原料，通过燃烧合成方法制备低氧含量高α相氮化硅粉体的方法，其特征在于，原料配方包括高氧含量硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重、混匀后，通过燃烧合成法制备氮化硅粉体，所使用高氧含量硅粉原料的氧含量为2％-8％，使用的氧含量调控剂为三聚氰胺，该方法获得的氮化硅粉体中氧含量在1％以下，α相含量在90％以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种低氧含量高α相氮化硅粉的制备方法
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