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氮化物半导体装置及其制造方法 

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申请/专利权人:株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社

摘要:提供氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具备:导电层11;氮化物半导体的凸区域12,设在上述导电层的上表面的至少一部分;以及n型的漂移层13,设在上述导电层的上方。上述漂移层包含在上述凸区域的上方朝上呈变细形状的变细区域13b。氮化物半导体装置还具备与上述漂移层的上述变细区域邻接的p型的体层14,上述漂移层及上述体层是外延层10。

主权项:1.一种氮化物半导体装置,其特征在于,具备:导电层;氮化物半导体的凸区域,设在上述导电层的上表面的至少一部分;n型的漂移层,设在上述导电层的上方,包括在上述凸区域的上方朝上呈变细形状的变细区域;以及p型的体层,与上述漂移层的上述变细区域邻接;上述漂移层及上述体层是外延层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社电装 丰田自动车株式会社 未来瞻科技株式会社 氮化物半导体装置及其制造方法

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