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申请/专利权人：日本碍子株式会社
摘要：本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
主权项：1.一种13族元素氮化物结晶层的制造方法，其特征在于，包括以下工序：晶种层培养工序，该工序中，在单晶基板上的氧化铝层上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层；退火工序，该工序中，通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在所述晶种层的表面以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸；以及在所述晶种层的所述表面培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日本碍子株式会社 13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板
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