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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明提供了一种锁存器，包括：第一至第五锁存结构和一个穆勒单元以及第一至第六传输门；每个锁存结构均由第一反向器和第二反向器组成，每个锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的栅极依次并分别连接其他每个锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的不同栅极，每个锁存结构的第四PMOS管至第五NMOS管的栅极还依次并分别连接其他每个锁存结构的第四PMOS管至第五NMOS管的不同栅极；穆勒单元具有五个输入端，分别接第一锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的栅极；第一传输门至第六传输门的输入端均相连接，作为锁存器的数据输入端D，第六传输门的输出端与穆勒单元的输出端相连接，作为锁存器的输出。

主权项：1.一种锁存器，其特征在于，包括：第一锁存结构至第五锁存结构和一个穆勒单元以及第一传输门至第六传输门；每个锁存结构均由第一反向器和第二反向器组成，所述第一反向器包括依次串联的第一PMOS管至第三PMOS管以及依次串联的第一NMOS管至第三NMOS管，所述第一PMOS管的源极接电源，所述第三PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的漏极，并作为第一反向器的输出，所述第三NMOS管的源极接地，第二反向器包括依次串联的第四PMOS管至第六PMOS管以及依次串联的第四NMOS管至第六NMOS管，所述第四PMOS管的源极接电源，所述第六PMOS管的漏极接所述第四NMOS管的漏极，并作为第二反向器的输出，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极短接再接所述第二反向器的输出，所述第六PMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极短接再接所述第一反向器的输出，其中，每个锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的栅极还依次并分别连接其他每个锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的不同栅极，每个锁存结构的第四PMOS管至第五NMOS管的栅极还依次并分别连接其他每个锁存结构的第四PMOS管至第五NMOS管的不同栅极；所述穆勒单元具有五个输入端，分别接第一锁存结构的第一PMOS管至第二NMOS管的栅极；所述第一传输门至第六传输门的输入端均相连接，并作为锁存器的数据输入端D，第一传输门至第五传输门与所述第一锁存结构的第四PMOS管至第五NMOS管的栅极一一连接，第六传输门的输出端与穆勒单元的输出端相连接，并作为锁存器的输出。

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