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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开提供了一种半导体发光器件以及使用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，位于突出区域上；反射电极层，设置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，包括设置在第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第一开口中，以电连接到第一导电类型半导体层的接触区域；第二导电图案，设置在绝缘层上，并且延伸到第二开口中，以电连接到反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖第一导电图案和第二导电图案。
主权项：1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层，包括凹进区域和突出区域；活性层和第二导电类型半导体层，顺序地堆叠在所述第一导电类型半导体层的所述突出区域上；反射电极层，设置在所述第二导电类型半导体层上；绝缘层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层，其中，所述绝缘层包括设置在所述第一导电类型半导体层的接触区域上的第一开口和设置在所述反射电极层的接触区域上的第二开口；第一导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第一导电图案延伸到所述绝缘层的所述第一开口中，以电连接到所述第一导电类型半导体层的所述接触区域；第二导电图案，设置在所述绝缘层上，其中，所述第二导电图案延伸到所述绝缘层的所述第二开口中，以电连接到所述反射电极层；以及多层绝缘结构，覆盖所述第一导电图案和所述第二导电图案，其中，所述多层绝缘结构包括设置在所述第一导电图案上的第三开口和设置在所述第二导电图案上的第四开口，其中，所述多层绝缘结构包括分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中均具有第一折射率的多个第一层和均具有比所述第一折射率高的第二折射率的多个第二层交替地堆叠，并且所述多个第二层中的最上层的厚度是所述多个第二层中的其他层中的每个的厚度的2倍或更大，并且所述多层绝缘结构具有至少500nm的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体发光器件及使用其的半导体发光器件封装件
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