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申请/专利权人：上海福宜纳米薄膜技术有限公司

摘要：本发明涉及一种双精调线高温薄膜铂电阻及其调阻方法，在背板上的一侧刻蚀短精调线，在短精调线的垂直对应侧刻蚀长精调线，长精调线和短精调线的长度范围由所确定的目标电阻确定，在背板上的一侧刻蚀正导点，在正导点的垂直对应侧刻蚀负导点，正导点和负导点用于电阻连接外电路，在背板上的另一侧刻蚀滤波区，在滤波区的一侧刻蚀第一电阻区，在滤波区的另一侧刻蚀第二电阻区，通过添加第二条精调线，利用第二次精调，激光切割的短程性，在弥补第一次精调偏差阻值同时，大大减少了激光产生的热量，有效提高调阻的精确性，减小了现有技术中调阻时激光产生的干扰的问题。

主权项：1.一种双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，所述的双精调线高温薄膜铂电阻，包括：背板；短精调线；在所述背板上的一侧刻蚀所述短精调线；长精调线；在所述短精调线的垂直对应侧刻蚀所述长精调线，所述长精调线和所述短精调线的长度范围由所确定的目标电阻确定；正导点；在所述背板上的一侧刻蚀所述正导点；负导点；在所述正导点的垂直对应侧刻蚀所述负导点；滤波区；在所述背板上的另一侧刻蚀所述滤波区；第一电阻区；在所述滤波区的一侧刻蚀所述第一电阻区；第二电阻区；在所述滤波区的另一侧刻蚀所述第二电阻区；所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，步骤包括：S10步骤：对标椎电阻进行测试得到其室温阻值，并记录下室温阻值，进入S20步骤；S20步骤：测量出室温温度，再计算出其温度系数，计算确定目标电阻值，进入S30步骤；S30步骤；根据所述目标电阻值刻蚀高温薄膜铂电阻电路，并保留一长一短两条精调线，进入S40步骤；S40步骤：测量刻蚀好后所述的高温薄膜铂电阻的电阻值，并将其与所述目标电阻值对比，判断阻值是否接近所述目标电阻值，如小于，进入步骤S45;如大于，进入步骤S50；如等于，进入步骤S110；步骤S45：报废；步骤S50：确定所述电阻值与所述目标电阻值的差值，计算出所需切割长精调线的长度范围，调长精调线，进入步骤S60；步骤S60：等待所述步骤S50的第一次精调时，激光切割产生的热量冷却至室温，进入步骤S70;步骤S70：测量出冷却后的高温薄膜铂电阻的电阻值，并判断是否接近所述目标电阻值，如小于，进入步骤45;如等于，进入步骤S110；如大于，进入步骤S80;步骤S80：确定所述电阻值与所述目标电阻值的差值，计算出所需切割短精调线的长度范围，调短精调线，进入步骤S90；步骤S90；等待所述步骤S80中第二次精调时，激光切割产生的热量冷却至室温，进入步骤S100；步骤S100；测量出冷却后的高温薄膜铂电阻的电阻值，并判断是否接近所述目标电阻值，小于，进入步骤45;等于，进入步骤S110；大于，进入步骤S80；步骤S110；完成精调所述的高温薄膜铂电阻的电阻值。

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