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申请/专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
摘要：本发明提供一种碳化硅及其退火装置和退火方法，所述退火装置包括用于给碳化硅施加压力的加重部、用于承载碳化硅的装载部和换气部；所述装载部的上部设有第一开孔，所述加重部通过所述第一开孔伸入所述装载部的内部与碳化硅接触，并对所述碳化硅施加压力；所述装载部的四周侧壁设有用于形成气流的通孔；所述换气部与所述装载部通过气管相连接，并通过所述通孔进行装载部内部与外部的气流对换。所述退火方法中保护气体通过通孔在所述装载部的内部形成气流，并实时通入和排出保护气体进行换气，可降低碳化硅晶片的Warp和Bow值，并防止加工过程Warp或Bow进一步变差，单次退火片数高，适合产业批量化。
主权项：1.一种碳化硅的退火装置，其特征在于，所述退火装置包括用于给碳化硅施加压力的加重部、用于承载碳化硅的装载部和换气部；所述装载部的上部设有第一开孔，所述加重部通过所述第一开孔伸入所述装载部的内部与碳化硅接触，并对所述碳化硅施加压力；所述装载部的四周侧壁设有用于形成气流的通孔；所述换气部与所述装载部通过气管相连接，并通过所述通孔进行装载部内部与外部的气流对换；所述通孔的孔径大小为0.1~5mm；所述通孔与通孔之间的间距为0.5~20mm；所述通孔在所述装载部的四周侧壁上均匀分布；所述通孔在所述装载部的四周侧壁上呈螺旋形或队列形分布；所述通孔在所述四周侧壁上的高度高于放置在所述装载部内部的碳化硅的高度；所述通孔在所述四周侧壁上的高度占所述四周侧壁总高的13~23。
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