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申请/专利权人：富芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种过压浪涌保护器件及其制造方法，包括N型半导体衬底，N型半导体衬底设置有第二P型掺杂基区、第一P型掺杂基区，第二P型掺杂基区内设置有第一N型发射区，第一P型掺杂基区内设置有第二N型发射区，N型半导体衬底设置有沟槽区，沟槽区内设置有玻璃钝化层，N型半导体衬底设置有第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，第二P型掺杂基区和第一P型掺杂基区均设置有金属层，本发明通过调整N型掺杂区的浓度可以得到适当击穿电压的过压浪涌保护器件，N型掺杂区是在刻蚀出沟槽区后形成的，其浓度和结深非常利于控制，不需要极长的扩散时间，从而能大大缩短瞬态浪涌抑制器的制造周期，使得最终的产品参数稳定，生产效率得到显著提高。
主权项：1.一种过压浪涌保护器件，其特征在于，包括N型半导体衬底1，所述N型半导体衬底1的上侧面设置有第二P型掺杂基区3，所述N型半导体衬底1的下侧面设置有第一P型掺杂基区2，所述第二P型掺杂基区3内设置有第一N型发射区6，所述第一P型掺杂基区2内设置有第二N型发射区601，所述N型半导体衬底1的上侧面两端和下侧面两端均设置有沟槽区5，所述沟槽区5内设置有玻璃钝化层7，所述N型半导体衬底1内位于沟槽区5的底部和第二P型掺杂基区3的下方处设置有第一N型掺杂区501，所述N型半导体衬底1内位于沟槽区5的底部和第一P型掺杂基区2的上方处设置有第二N型掺杂区502，所述第一N型掺杂区501和第二N型掺杂区502呈对角线设置，所述第二P型掺杂基区3的上侧面和第一P型掺杂基区2的下侧面均设置有金属层8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富芯微电子有限公司 一种过压浪涌保护器件及其制造方法
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