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集成电路滤波器封装工艺 

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申请/专利权人:日月新半导体(苏州)有限公司

摘要:本发明公开了集成电路封装技术领域的集成电路滤波器封装工艺,所述封装工艺包括如下步骤:S1、晶圆来料检测;S2、晶圆植球;S3、晶圆贴膜;S4、晶圆切割;S5、等离子清洗;S6、超声波焊接;S7、等离子清洗;S8、层压胶膜;S9、固化;S10、等离子清洗;S11、转移模塑;S12、固化;S13、镭射正印;S14、切单。本发明通过转移模塑的作业方式,实现了滤波器的封装,封装过程中实行高强度膜搭配层压过程的特殊工艺控制,然后由转移模塑完成封装材料与基板的完全贴合及封装,是一种新型的封装解决方案,成功实现了成本节约,提高了产品的核心竞争力。

主权项:1.集成电路滤波器封装工艺,其特征在于:所述封装工艺包括如下步骤:S1、晶圆来料检测;S2、晶圆植球:在晶圆表面植金球,建立起芯片与外部电路的电气连接;S3、晶圆贴膜:在晶圆背面粘贴保护膜,为后续晶圆切割做准备;S4、晶圆切割:将晶圆切割成单个芯片,为下一步的封装做准备;S5、等离子清洗:切割后的芯片表面可能会有切割液和碎屑,通过等离子体处理可以有效去除这些污染物,并活化芯片表面,增强后续塑封材料的粘接性能;S6、超声波焊接:在芯片的金属焊盘上使用超声波能量进行焊接,将芯片与封装基板或载具上的焊盘连接起来;S7、等离子清洗:再次使用等离子体清洗芯片表面,去除超声波焊接过程中可能产生的污染物,确保塑封材料与芯片的清洁接触;S8、层压胶膜:在已焊接芯片的基板或载具上,层压胶膜,保护芯片及金球,所述层压胶膜为预层压覆膜,而不是完全压膜;S9、固化:在高温炉中对封装体进行后固化处理,以确保胶膜完全固化,提高封装的稳定性和可靠性;S10、等离子清洗:对封装后的芯片进行最终的等离子体表面处理,以改善其表面特性,提高封装体的耐环境性能;S11、转移模塑:通过转移模塑工艺使封装体完成塑封;S12、固化:将封装体放入高温炉中进行固化,增强封装体的结构强度;S13、镭射正印:使用激光技术在封装体上标记产品信息,如型号、批次号等,以便于产品追踪和管理;S14、切单:将镭射正印后的封装体切割成单独的单元,以便于单个芯片的分拣和包装。

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权利要求:

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