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申请/专利权人：哈尔滨工业大学;哈工大郑州研究院
摘要：多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法，属于温度传感器领域。解决了传统的掺硼金刚石温度传感器无法弱化声子‑电子耦合现象，导致掺硼金刚石温度传感器的电导率随温度变化的敏感性差，以及普通机械装配方式易损伤且存在界面热适配的问题。本发明将掺硼金刚石膜上设置点阵式排列的微纳尺度孔径结构，该微纳尺度孔径结构存在可使掺硼金刚石内声子输运过程发生声子相干现象，弱化声子与电子之间的相互作用，增强电子的输运能力增加掺硼金刚石的电学性能以及其温度敏感性，另一方面多层膜所形成的复合薄膜结构沉积在测温物件表面，确保恶劣环境的机械结构稳定性，并且可以减少界面热适配造成的测温误差与延迟。本发明主要用于测温。
主权项：1.多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：采用化学气相沉积方法在测温工件1上依次沉积过渡层2和本征金刚石膜3、周期性排布的掩膜4；在本征金刚石膜3上选择性生长得到具有多孔结构的掺硼金刚石膜5，然后在具有多孔结构的掺硼金刚石膜5上再沉积本征金刚石膜3，并安装接触电极7和引线8，即完成所述的多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器制备；所述的具有多孔结构的掺硼金刚石膜5为具有周期性排布的微纳尺度孔径结构的掺硼金刚石膜。
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