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层叠结构体、半导体元件和半导体装置 

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申请/专利权人:株式会社FLOSFIA

摘要:提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置,其尤其在功率器件中有用,并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体,至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板,所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金属不同的第二金属,其中,所述导电性基板在面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向,所述导电性基板的作为所述第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数与作为所述第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数相同或大致相同。

主权项:1.一种层叠结构体,至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板,所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金属不同的第二金属,其特征在于,所述导电性基板在面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向,所述导电性基板的作为所述第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数与作为所述第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数相同或大致相同。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社FLOSFIA 层叠结构体、半导体元件和半导体装置

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