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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于氧化镓单晶生长技术领域，具体涉及导模法生长大尺寸010主面氧化镓单晶的装置、系统和方法。本发明采用非优势生长晶向001作为生长籽晶，010晶面作为晶体主面，使用导模法成功生长出大尺寸010主面氧化镓单晶，并针对方案实施过程中易出现的枝状晶缺陷问题，使用特定温场及坩埚上盖构建了适配的外部温度梯度，进一步满足010主面晶体固液生长界面前沿温度梯度要求，成功的抑制了枝状晶缺陷的形成，提高了大尺寸010主面氧化镓单晶导模法生长技术成熟度，使氧化镓晶体材料成功脱离大尺寸010晶面衬底的制备困境。
主权项：1.一种导模法生长大尺寸010主面氧化镓单晶的装置，其特征在于，包括由内至外同中心设置的模具、坩埚、保温材料和加热线圈，所述坩埚上设置有于模具宽度方向设计开放式缺口的坩埚上盖，所述保温材料自模具上表面的平行面向上减薄至13后再增厚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 导模法生长大尺寸(010)主面氧化镓单晶的装置、系统和方法
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