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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

摘要：一种开关自适应的绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，较传统的器件元胞结构引入P‑型注入层来取代部分N型层来形成新的载流子存储层，有效的为导通饱和电压与关断损耗的结构调节提供了新的设计方法。新引入的P‑型载流子存储层在绝缘栅双极性晶体管在栅极+15V开通时，可以由P‑反型为N型层实现载流子（空穴）的积累，从而增强了电导调制效应，降低了导通饱和电压。新引入的P‑型载流子存储层在绝缘栅双极性晶体管在栅极‑5V‑8V关断时，可以由P‑变为P型层，增强关断时载流子（空穴）的抽取，减小载流子（空穴）的积累，降低关断时间和拖尾电流，从而实现关断损耗的降低。

主权项：1.一种自适应开关的绝缘栅双极性晶体管，包括区熔单晶层（7），其特征在于，所述区熔单晶层（7）顶部设有N型载流子存储层（5）外，还在元胞中间设有一层P型的具有开关自适应的载流子存储层（10）；所述载流子存储层（5）和载流子存储层（10）上设有第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）；所述第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）互相独立不连通形成栅状沟槽；所述第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）内分别依次生长氧化层（6），沉积多晶硅（4）后经过多晶回刻保持与硅表面齐平；所述区熔单晶层（7）顶部设有位于栅状沟槽侧部的Pbody层（2）；所述第一沟槽（21）两侧的Pbody层（2）上设有N+层（3）；所述Pbody层（2）与P型载流子存储层（10）连接，所述N+层（3）与沉积层间介质层（13）连接；所述区熔单晶层（7）上设有层间介质层（13），所述层间介质层（13）上设有若干向下延伸的通孔（14）；所述第一沟槽（21）和第二沟槽（22）间的通孔（14）依次穿过层间介质层（13）和N+层（3）接触到Pbody层（2）；所述第二沟槽（22）和第三沟槽（23）间的通孔（14）穿过层间介质层（15）与Pbody层（2）连接；所述第二沟槽（22）中的通孔（14）穿过层间介质层（13）与第二沟槽多晶硅（11）连接；两个第二沟槽多晶硅（11）通过通孔（14）与发射极相连形成发射极沟槽结构；所述正面金属层（1）分别填充若干通孔（14）。

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