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申请/专利权人：中国科学院理化技术研究所
摘要：本发明公开一种垂直腔面发射半导体芯片和垂直腔面半导体相干光产生装置。所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，所述半导体增益介质层包括用于阻断激光横向增益的间隙和由所述间隙分隔的多个增益区域。本发明通过刻蚀形成的间隙实现多个垂直腔面发射半导体增益介质区域的拼接，扩展了垂直外腔发射半导体激光器增益介质的增益区域的面积，增加了垂直腔面发射半导体芯片输出激光的功率，保证了大口径下各个垂直腔面发射半导体增益介质产生输出光束的空间相干性，实现输出高功率、高光束质量的相干光。
主权项：1.一种垂直腔面发射半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括垂直腔面发射半导体增益介质层、位于所述半导体增益介质层一侧的分布式布拉格反射镜以及位于所述半导体增益介质层远离所述反射镜一侧的金刚石盖层，其中，所述半导体增益介质层包括用于阻断激光横向增益的间隙和由所述间隙分隔的多个增益区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院理化技术研究所 垂直腔面发射半导体芯片和垂直腔面半导体相干光产生装置
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