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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院;华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。
主权项：1.一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，其特征在于：包括N型衬底1、N型外延层2、P型柱3、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、体区8、源区9、欧姆接触区11、顶层金属12、底层金属13；其中，所述N型外延层2位于N型衬底1的上表面；所述屏蔽栅沟槽、平面控制栅分别位于N型外延层2的右上表面和左上表面；所诉P型柱3位于屏蔽栅沟槽的下方，且和屏蔽栅沟槽相互接触、上下相连；所述屏蔽栅沟槽填充屏蔽栅绝缘介质4，内部有屏蔽栅多晶硅5；所述平面控制栅填充控制栅绝缘介质6，平面控制栅上方与控制栅多晶硅7相接触，右下面与N型外延层2相接触；所述体区8位于平面控制栅下方，左上表面有P型掺杂的欧姆接触区11、N型掺杂的源区9；所述欧姆接触区11在N型掺杂的源区9的左侧，源区9与平面控制栅绝缘介质6侧面接触；所述N型掺杂的源区9、多晶硅栅5和欧姆接触区11通过顶层金属12直接接触相连，器件表面的N型外延层2和屏蔽栅绝缘介质4通过表面绝缘介质层10与顶层金属12相隔离；所述底层金属13在器件的下表面。
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权利要求：
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