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一种一体式固定MOS管的双晶体压块固定结构 

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申请/专利权人:深圳市凯胜威电子有限公司

摘要:本实用新型提供一种一体式固定MOS管的双晶体压块固定结构,涉及MOS管固定结构技术领域,包括:双晶体压块本体,所述双晶体压块本体为一体式,所述双晶体压块本体的一侧面设有第一扣位块,所述第一扣位块与双晶体压块本体固定连接,所述双晶体压块本体远离第一扣位块的一侧面设有第二扣位块,所述第二扣位块与双晶体压块本体固定连接。本实用新型,通过设置双晶体压块本体,且双晶体压块本体为一体式设计,整体设计更为紧凑,且兼具同时固定MOS管和PCB板的功能,在二者之间起到了重要的连接作用,不仅固定了MOS管的位置,还能稳定的对MOS管进行锡焊接,同时相较于传统的与PCB板固定的方式,双晶体压块本体占用空间更小。

主权项:1.一种一体式固定MOS管的双晶体压块固定结构,其特征在于,包括:双晶体压块本体100,所述双晶体压块本体100为一体式,所述双晶体压块本体100的一侧面设有第一扣位块101,所述第一扣位块101与双晶体压块本体100固定连接,所述双晶体压块本体100远离第一扣位块101的一侧面设有第二扣位块102,所述第二扣位块102与双晶体压块本体100固定连接。

全文数据:

权利要求:

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