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申请/专利权人：重庆慧太博科技有限公司
摘要：本发明提供一种含有多层高K栅绝缘层的MOS‑HEMT器件，包括衬底，衬底表面顺序形成有1～2μm厚的缓冲层、25～30nm厚的势垒层和铝金属薄膜，势垒层表面左右侧铝金属薄膜表面对应形成有图形化的源电极和漏电极，源漏电极沟道之间形成有多层高K栅绝缘层，多层高K栅绝缘层包括由势垒层表面左右两侧铝金属薄膜之间的铝金属薄膜直接氧化生成的氧化铝层以及叠加形成于氧化铝层表面的氧化锆层，氧化铝层表面与源漏电极的底面平齐，氧化锆层表面形成有栅电极。本发明还提供一种前述器件制备方法。本申请中的多层高K栅绝缘层由氧化铝和氧化锆叠加而成，由此能够提升器件性能稳定性，降低器件漏电流和关键特性的恶化可能，制备方法能与现有HEMT器件制备流程相兼容。
主权项：1.一种含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件，其特征在于，包括材质为Si、SiC或蓝宝石的衬底，所述衬底的表面形成有1～2μm厚的缓冲层，所述缓冲层的表面形成有25～30nm厚的势垒层，所述势垒层的表面形成有铝金属薄膜，所述势垒层表面左侧铝金属薄膜表面形成有图形化的源电极，所述势垒层表面右侧铝金属薄膜表面形成有图形化的漏电极，所述源电极和漏电极沟道之间形成有多层高K栅绝缘层，所述多层高K栅绝缘层包括由势垒层表面左右两侧铝金属薄膜之间的铝金属薄膜直接氧化生成的氧化铝层以及叠加形成于氧化铝层表面的氧化锆层，所述氧化铝层的表面与源漏电极的底面平齐，所述氧化锆层的厚度为2～5nm且表面形成有栅电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆慧太博科技有限公司 一种含有多层高K栅绝缘层的MOS-HEMT器件及其制备方法
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