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申请/专利权人：深圳市思坦科技有限公司
摘要：本发明公开了一种LED结构的制备方法及LED结构。一种LED结构的制备方法，包括：剥离LED芯片的衬底和缓冲层以暴露N型GaN；在所述N型GaN上形成ITO层。本发明通过在N型GaN上形成ITO层，当ITO层通以和负电极相同的电压，可以来改变电子空穴的复合路径，进而解决LED结构中心电场线较弱的问题，使LED结构中心的电子空穴对复合几率增大，达到提升发光效率，减小LED结构中心亮度和四周亮度差异，增强阴极导电性的效果。
主权项：1.一种LED结构的制备方法，其特征在于，包括：从P型半导体层对GaN基外延片进行刻蚀，以暴露部分N型半导体层，所述GaN基外延片包括，P型半导体层、多量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层和衬底，所述P型半导体层、所述多量子阱发光层、所述N型半导体层、所述缓冲层和所述衬底依次堆叠，所述N型半导体层的材料为N型GaN；在所述P型半导体上形成电流扩展层；在被暴露的部分所述N型半导体层和所述电流扩展层的预设位置上形成电极；在所述电流扩展层、被暴露的部分所述N型半导体层和电极上形成钝化层；对所述钝化层上的第一预设区域进行刻蚀处理以暴露部分电极；在所述钝化层上的第二预设区域形成导电金属层，以获得LED芯片，所述导电金属层还与所述部分电极相连；剥离LED芯片的衬底和缓冲层以暴露N型GaN；在所述N型GaN上形成ITO层，所述ITO层用于通以和负电极相同的电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市思坦科技有限公司 LED结构的制备方法及LED结构
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