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申请/专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，先在硅基底的一面依次沉积第一钝化层和第一传输层，第一传输层与硅基底的导电类型不同；在第一传输层上设置掩膜，硅基底呈现由掩膜的覆盖区域与未覆盖区域之间呈叉指状的排列，并根据掩膜对第一钝化层、第一传输层进行刻蚀，再在掩膜上依次沉积第二钝化层和第二传输层，移除掩膜后在硅基底的一面形成叉指背接触排列的两传输层。此时，在过程中仅发生了一次刻蚀，一次设置掩膜，有效简化了工艺步骤，降低了制备成本，并避免了对位精度不准的问题，提高了成品质量。
主权项：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供硅基底；在所述硅基底的一面依次沉积第一钝化层和第一传输层，所述第一传输层与所述硅基底的导电类型不同；在所述第一传输层上设置掩膜，所述硅基底呈现由所述掩膜的覆盖区域与未覆盖区域之间呈叉指状的排列，并根据所述掩膜对所述第一钝化层和所述第一传输层进行刻蚀；在所述硅基底靠近所述掩膜的一侧依次沉积第二钝化层和第二传输层，所述第二传输层与所述第一传输层的导电类型不同；在所述掩膜未覆盖区域上所述第二钝化层和所述第二传输层沉积在露出的所述硅基底上；移除所述掩膜。
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