买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院

摘要：本发明提供一种片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件，片上全光开关包括衬底、设置于衬底上表面的绝缘层、设置于绝缘层上表面的二维拓扑绝缘体层、设置于二维拓扑绝缘体层上表面的隔离层，设置于隔离层上表面的微纳阵列层；微纳阵列层与二维拓扑绝缘体层在不同偏振方向和或不同波长泵浦光的激发下产生增强或者抑制的光学饱和吸收效应，增强的饱和吸收是基于微纳阵列层的局域表面的等离子激元共振诱导的高浓度电场形成的，抑制的饱和吸收是基于双光子吸收形成的。通过改变泵浦光的偏振方向或波长，探测光的透射率强度会被调制，使得具备了光诱导的"开"和"关"模式，降低了片上全光开关的功耗，提升片上全光开关的响应速度。

主权项：1.一种片上全光开关，其特征在于，包括：衬底、绝缘层、二维拓扑绝缘体层、隔离层和微纳阵列层，所述绝缘层设置于所述衬底的上表面，所述二维拓扑绝缘体层设置于所述绝缘层的上表面，所述隔离层设置于所述二维拓扑绝缘体层的上表面，所述微纳阵列层设置于所述隔离层的上表面；其中，所述衬底用于支撑所述绝缘层；所述绝缘层用于隔离所述衬底和所述二维拓扑绝缘体层；所述隔离层用于隔离所述二维拓扑绝缘体层和所述微纳阵列层；所述微纳阵列层用于与所述二维拓扑绝缘体层在不同偏振方向和或不同波长的泵浦光的激发下产生光学饱和吸收效应，所述光学饱和吸收效应用于指示探测光透过或者不透过所述二维拓扑绝缘体层；所述光学饱和吸收效应包括增强的饱和吸收效应和抑制的饱和吸收效应，所述增强的饱和吸收效应是基于所述微纳阵列层的局域表面的等离子激元共振诱导的高浓度电场形成的，所述抑制的饱和吸收效应是基于双光子吸收形成的；所述光学饱和吸收效应的偏振敏感特性依赖于所述二维拓扑绝缘体层的各向同性特性，以使在特定波长的探测光下所述饱和吸收效应的强度发生变化；所述二维拓扑绝缘体层包括至少一层拓扑绝缘体；所述二维拓扑绝缘体层是基于采用分子束外延设备生长的至少一层二维拓扑绝缘体得到的、或者基于将不同的单层二维拓扑绝缘体薄膜堆叠得到的；所述二维拓扑绝缘体层包括以下至少一项：小于第一预设阈值的带隙、金属表面态、宽带吸收、大于第二预设阈值的载流子迁移率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件