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申请/专利权人：北京科技大学;北京科技大学顺德创新学院;广东奔朗新材料股份有限公司
摘要：本发明提供一种增强高功率电子器件辐射散热的界面材料的制备方法，涉及高功率电子器件热管理技术领域，包括以下步骤；在金刚石的表面进行催化剂层镀制；热处理后将表面载有金属纳米颗粒层的金刚石放置于化学气相沉积系统中，并通入含碳气体进行垂直碳纳米管的生长，得到碳纳米管金刚石界面材料。本发明的方法实现了垂直碳纳米管阵列在金刚石上的生长，制备的碳纳米管金刚石界面材料界面结合性好、传热率高、机械强度好。垂直碳纳米管具有高发射率的超黑特性，在散热的过程中金刚石可迅速将热源的热量分散，然后通过垂直碳纳米管辐射出去，将金刚石碳纳米管界面材料作为散热片使用能够使高功率电子器件具备更好的散热性。
主权项：1.一种增强高功率电子器件辐射散热的界面材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；S1、取预处理后的金刚石，进行氢等离子体刻蚀；S2、在经步骤S1处理后的金刚石的表面进行催化剂层镀制，得到载有催化剂层的金刚石；S3、将所述载有催化剂层的金刚石在氩气和氢气混合气氛下进行热处理，得到表面载有金属纳米颗粒层的金刚石；S4、将所述表面载有金属纳米颗粒层的金刚石放置于化学气相沉积系统中，并通入含碳气体进行垂直碳纳米管的生长，得到碳纳米管金刚石界面材料；所述垂直碳纳米管的生长包括第一阶段生长和第二阶段生长，所述第一阶段生长的过程中氢气、氩气和乙炔流量比为5：4-6：5-6，保温温度为680-700℃，生长时间为20-30min；所述第二阶段生长的过程中氢气、氩气和乙炔流量比为5：4-6：10，保温温度为680-700℃，生长时间为10-20min。
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