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申请/专利权人：连城凯克斯科技有限公司
摘要：本发明是一种掺锑单晶的电阻率控制方法，包括：在单晶拉制前掺入锑得到锑含量已知的含锑母合金棒，当单晶生长时，带动含锑母合金棒升降，有规律的降入硅液内并熔化。本发明的优点：1）可解决现有技术由于锑挥发造成的掺锑单晶晶体电阻率一直上升的问题；2）可解决现有技术拉制掺锑单晶中加入P造成的电阻率头尾比在1.5倍的问题；3）可实现拉制出电阻率要求±0.5波动范围的掺锑单晶晶棒，最大化提高掺锑N型电池的转化效率，有效解决行业由于电阻率波动造成的转化效率波动的难题。
主权项：1.一种掺锑单晶的电阻率控制方法，其特征在于，包括：在单晶拉制前掺入锑得到锑含量已知的含锑母合金棒，当单晶生长时，带动含锑母合金棒升降，有规律的降入硅液内并熔化。
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百度查询： 连城凯克斯科技有限公司 一种掺锑单晶的电阻率控制方法
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