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一种改善晶圆侧面成膜的装置 

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申请/专利权人:拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

摘要:本申请提供一种改善晶圆侧面成膜的装置,涉及半导体设备技术领域,包括工艺腔,工艺腔内设置有加热盘,加热盘上用于设置晶圆,加热盘的上方还设置有喷淋上板,通过喷淋上板朝向晶圆的上方通入工艺气体以用于在晶圆的表面成膜,加热盘的侧面设置有阻隔结构,以用于阻隔工艺气体接触晶圆的侧面,避免在晶圆的侧面成膜。阻隔结构的作用是阻止工艺气体接触晶圆侧面,这样一来,可以避免由于工艺气体接触晶圆侧面而在晶圆侧面成膜的情况,降低了晶圆侧面成膜的概率,改善了现有技术由于在晶圆侧面成膜导致的晶圆本身的洁净度,以及长期工艺累积产生的工艺腔、后续传送通道的洁净度的问题,提高了晶圆整体工艺的稳定性,保证了晶圆的工艺质量。

主权项:1.一种改善晶圆侧面成膜的装置,其特征在于,包括:工艺腔,所述工艺腔内设置有加热盘,所述加热盘上用于设置晶圆,所述加热盘的上方还设置有喷淋上板,通过所述喷淋上板朝向所述晶圆的上方通入工艺气体以用于在所述晶圆的表面成膜,所述加热盘的侧面设置有阻隔结构,以用于阻隔所述工艺气体接触所述晶圆的侧面,避免在所述晶圆的侧面成膜。

全文数据:

权利要求:

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