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申请/专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种保护沟槽侧脊的光刻方法，该方法，包括以下步骤：S1.在激光器的钝化层上旋涂光刻胶；S2.在涂胶之后进行软烘烤；S3.在软烘烤后，进行接触区曝光和解理区曝光；S4.在曝光后，同步进行接触区和解理区显影，将接触区和解理区上的钝化层去除；S5.在钝化层去除后，进行光刻胶去除，完成光刻。其目的在于，在不影响器件性能的情况下，减少了工序、提升了工作效率和加工良率，且能够形成良好的侧壁保护和切割道的光刻。
主权项：1.一种保护沟槽侧脊的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在激光器的钝化层上旋涂光刻胶；S2.在涂胶之后进行软烘烤；S3.在软烘烤后，进行接触区曝光和解理区曝光；S4.在曝光后，同步进行接触区和解理区显影，将接触区和解理区上的钝化层去除；S5.在钝化层去除后，进行光刻胶去除，完成光刻。
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权利要求：
百度查询： 威科赛乐微电子股份有限公司 一种保护沟槽侧脊的光刻方法
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