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申请/专利权人：普冉半导体(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种访问闪存的方法中，闪存的主阵列为读保护状态下，CPU异常处理时访问主阵列的步骤包括：监测CPU读取向量的状态信号，状态信号至少区分两种状态，第一种状态表示读取向量处于获取向量入口地址的状态，第二种状态表示读取向量处于程序读出数据的状态。根据所述状态信号对访问进行控制，包括：当状态信号为第一种状态时，允许访问。当状态信号为第二种状态时，拒绝访问。本发明还公开了一种访问闪存的装置。本发明能在闪存的主阵列为读保护状态下获取向量入口地址。
主权项：1.一种访问闪存的方法，其特征在于，闪存的主阵列为读保护状态下，CPU异常处理时访问所述主阵列的步骤包括：监测CPU读取向量的状态信号，所述状态信号至少区分两种状态，第一种状态表示所述读取向量处于获取向量入口地址的状态，第二种状态表示所述读取向量处于程序读出数据的状态；根据所述状态信号对访问进行控制，包括：当所述状态信号为所述第一种状态时，允许访问；当所述状态信号为所述第二种状态时，拒绝访问。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 普冉半导体(上海)股份有限公司 访问闪存的方法和控制装置
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