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申请/专利权人：杭州致善微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种基于BCD集成的金属氧化物场效应功率晶体管及工艺。该晶体管包括衬底，衬底内设有深槽隔离将所述衬底隔离成高压区和低压区，低压区两侧均具有深槽隔离；所述衬底包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的第一金属引出层、N+衬底层、N‑外延层；所述高压区内至少具有SGT‑NMOS主体，所述低压区内至少具有PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体；第一金属引出层还延伸设置于整个晶体管的背面；所述SGT‑NMOS主体、PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体均构建于N‑外延层内或N‑外延层上，并分别与衬底组成SGT‑NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件。通过高压区与低压区的结构设计，对SGT‑NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件进行集成，实现电源管理模块和驱动功率器件的集成。
主权项：1.一种基于BCD集成的金属氧化物场效应功率晶体管，其特征在于，包括衬底，所述衬底内设有深槽隔离将所述衬底隔离成高压区和低压区，低压区两侧均具有深槽隔离；所述衬底包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的第一金属引出层、N+衬底层、N-外延层；所述高压区内至少具有SGT-NMOS主体，所述低压区内至少具有PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体；第一金属引出层还延伸设置于整个晶体管的背面；所述SGT-NMOS主体、PNP型双极晶体管主体和低压CMOS器件主体均构建于N-外延层内或N-外延层上，并分别与衬底组成SGT-NMOS、PNP型双极晶体管和低压CMOS器件；所述低压区的N-外延层内具有作为低压区的公共地端的第一深P型阱区，PNP型双极晶体管和低压CMOS器件共用第一深P型阱区；所述低压区还具有第一P+区域，所述第一P+区域设置于所述PNP型双极晶体管和低压CMOS器件之间且位于第一深P型阱区内，所述PNP型双极晶体管与第一P+区域通过浅槽隔离，所述低压CMOS器件与第一P+区域通过浅槽隔离，第一P+区域用于接地。
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权利要求：
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