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申请/专利权人：合肥世纪金芯半导体有限公司
摘要：本实用新型提供一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体以及废物处理箱，PVT炉体左侧下方安装有废物处理箱，废物处理箱上方设有废物入口，废物处理箱内部上方设置有两个转轴，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过设置驱动电机、转轴、转动辊以及粉碎齿，能够便于对大块的固体废弃物进行粉碎，粉碎后的固体废弃物能够便于收集，粉碎后的固体废弃物更容易进行后续处理，例如进行再利用，破碎后的废弃物通常更容易分离和处理其中有价值的成分，从而减少资源浪费，通过设置收集转运箱、转运轮、对接槽、固定铁片以及磁吸片，能够便于收集粉碎后的固体废弃物，且在收集后能够便于将其转运。
主权项：1.一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体100以及废物处理箱200，所述PVT炉体100左侧下方安装有废物处理箱200，其特征在于：所述废物处理箱200上方设有废物入口400；所述废物处理箱200内部上方设置有两个转轴800，两个所述转轴800外侧安装有转动辊500，每个所述转动辊500外侧均安装有多组粉碎齿600，所述废物处理箱200左侧面上方安装有两个驱动电机700；所述废物处理箱200内部下方设置有收集转运箱120，所述废物处理箱200左侧面下方开设有出入口，所述废物处理箱200右侧面安装有两个磁吸片170，所述废物处理箱200内部右侧下方开设有两个对接槽150，两个所述对接槽150内部右侧分别安装有一个磁吸片170，所述收集转运箱120下方安装有四个转运轮140。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥世纪金芯半导体有限公司 一种PVT法碳化硅单晶生长装置
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