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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一第一位元线、一第一字元线、一通道结构以及一沟槽电容器，该第一位元线设置在该基底上并沿着一第一方向延伸，该第一字元线设置在该第一位元线上并沿着一第二方向延伸，该第二方向正交于该第一方向，该通道结构设置在该第一位元线上并穿透该第一字元线，该沟槽电容器设置在该通道结构上。该通道结构借由一栅极介电层而与该第一字元线间隔开。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一位元线，设置在该基底上并沿着一第一方向延伸；一第一字元线，设置在该第一位元线上并沿着一第二方向延伸，该第二方向正交于该第一方向；一通道结构，设置在该第一位元线上并穿过该第一字元线，其中该通道结构借由一栅极介电层而与该第一字元线间隔开；以及一沟槽电容器，设置在该通道结构上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 通道结构上具有沟槽电容器的半导体元件
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