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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本公开提供一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统，能够抑制蚀刻的形状异常。所提供的蚀刻方法包括以下工序：工序a，提供具有层叠膜和层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序b，使用从第一处理气体生成的等离子体对层叠膜进行蚀刻，来在层叠膜形成凹部；以及工序c，向层叠膜的凹部供给氟化氢。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括以下工序：工序a，提供具有层叠膜和所述层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序b，利用从第一处理气体生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻，来在所述层叠膜形成凹部；以及工序c，向所述层叠膜的所述凹部供给氟化氢。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统
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