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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本发明公开了一种半导体器件的衬底转移方法及半导体器件，涉及半导体制备技术领域。所述方法包括：提供过程衬底和半导体器件，所述半导体器件的背面包括第一衬底；对所述过程衬底和所述半导体器件进行清洗，并在所述半导体器件上背离所述第一衬底的一面键合所述过程衬底；去除所述第一衬底，并对所述半导体器件的背面以及第二衬底进行平坦化处理，其中，所述第二衬底的热导率大于所述第一衬底的热导率；在所述半导体器件的背面键合所述第二衬底；去除所述过程衬底。本申请旨在解决衬底散热能力有限的问题，从而提升半导体器件综合性能，如高电子迁移率和高击穿电压等。
主权项：1.一种半导体器件的衬底转移方法，其特征在于，所述方法包括：提供过程衬底和半导体器件，所述半导体器件的背面包括第一衬底；对所述过程衬底和所述半导体器件进行清洗，并在所述半导体器件上背离所述第一衬底的一面键合所述过程衬底；去除所述第一衬底，并对所述半导体器件的背面以及第二衬底进行平坦化处理，其中，所述第二衬底的热导率大于所述第一衬底的热导率；在所述半导体器件的背面键合所述第二衬底；去除所述过程衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 半导体器件的衬底转移方法及半导体器件
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